微波等離子去膠機百科
文章導讀：微波等離子去膠機是一種在電子與通信技術等領域廣泛應用的工藝試驗儀器，主要用於去除光刻膠等有機物。以下是其相關介紹：
微波等離子去膠機是一種在電子與通信技術等領域廣泛應用的工藝試驗儀器，主要用於去除光刻膠等有機物。以下是其相關介紹：
工作原理
通常在真空環境下，利用微波發生器產生高頻微波（一般頻率為 2.45GHz），使通入的反應氣體（如氧氣、CF4 等）發生電離，產生具有強氧化性的等離子體。這些等離子體中的活性粒子與光刻膠等有機物發生化學反應，將其分解為二氧化碳、水等易揮發的物質，然後通過真空係統抽走，從而達到去膠的目的。
結構組成
主要包括微波發生器，用於產生微波能量；真空腔體，提供真空環境，保證等離子體穩定產生和反應進行；氣路係統，控製反應氣體的種類和流量；樣品台，放置待處理的晶圓或其他樣品，部分設備的樣品台可旋轉或移動，以保證去膠均勻性；控製係統，實現對功率、壓力、時間、溫度等參數的精確控製，通常還具備智能控製功能，可通過軟件批量控製工藝處理數據。
技術參數
不同型號的微波等離子去膠機技術參數有所差異。一般真空壓力在 1-100 帕斯卡左右，微波發生器功率在 100-1000W 不等，可處理 2-8 英寸的晶圓片和方片，去膠均勻性可達 1.0% 左右，加熱溫度在 20-250℃可調，冷卻溫度在 20-0℃，最大批處理能力可達 25 片 6 寸樣品等。
產品特點
高效去膠：微波產生的高密度等離子體使活性粒子數量多，去膠速率快，例如部分設備去膠速率可達 0.2-0.4μm/min，能大幅提高生產效率。
無損傷：采用化學性刻蝕的工作方式，相比物理轟擊方式，對襯底的損傷較低，尤其適用於對損傷敏感的材料和工藝。
均勻性好：通過合理設計腔體結構、氣體分布和樣品台運動方式等，可實現較好的去膠均勻性，如通過旋轉樣品台，進一步提高去膠的均勻性。
環保安全：無需使用有害化學溶劑，避免了化學清洗產生的廢液汙染，是一種綠色清潔的去膠技術。同時，微波波段無紫外排放，操作更安全。
適用性強：可以處理多種類型的光刻膠，包括正性及負性光刻膠、SU-8 負性光刻膠、聚酰亞胺光刻膠（PI）等，還可用於有機物去除、基片表麵等離子改性等多種工藝。
應用領域：
半導體製造：在芯片製造過程中，用於光刻工藝後晶圓表麵光刻膠的去除，為後續的刻蝕、離子注入等工藝做好準備，確保工藝的準確性和芯片的性能。
MEMS 製造：例如 MEMS 壓力傳感器加工工藝中，可對光刻膠進行批量處理，去除光刻膠以形成特定的微結構。
平板顯示生產：用於平板顯示生產中的等離子體預處理，如在玻璃基板上進行光刻膠去除和表麵改性，提高後續薄膜沉積、封裝等工藝的質量。
太陽能電池生產：可用於太陽能電池生產中的邊緣絕緣和製絨工藝，去除光刻膠並對矽片表麵進行處理，以提高電池的轉換效率和性能。
先進晶片（芯片）封裝：對封裝過程中的襯底進行清潔和預處理，去除光刻膠和有機物雜質，提高襯底表麵的潔淨度和附著力，有利於後續的鍵合、封裝等工藝。
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通常在真空環境下，利用微波發生器產生高頻微波（一般頻率為 2.45GHz），使通入的反應氣體（如氧氣、CF4 等）發生電離，產生具有強氧化性的等離子體。這些等離子體中的活性粒子與光刻膠等有機物發生化學反應，將其分解為二氧化碳、水等易揮發的物質，然後通過真空係統抽走，從而達到去膠的目的。
結構組成
主要包括微波發生器，用於產生微波能量；真空腔體，提供真空環境，保證等離子體穩定產生和反應進行；氣路係統，控製反應氣體的種類和流量；樣品台，放置待處理的晶圓或其他樣品，部分設備的樣品台可旋轉或移動，以保證去膠均勻性；控製係統，實現對功率、壓力、時間、溫度等參數的精確控製，通常還具備智能控製功能，可通過軟件批量控製工藝處理數據。
技術參數
不同型號的微波等離子去膠機技術參數有所差異。一般真空壓力在 1-100 帕斯卡左右，微波發生器功率在 100-1000W 不等，可處理 2-8 英寸的晶圓片和方片，去膠均勻性可達 1.0% 左右，加熱溫度在 20-250℃可調，冷卻溫度在 20-0℃，最大批處理能力可達 25 片 6 寸樣品等。
高效去膠：微波產生的高密度等離子體使活性粒子數量多，去膠速率快，例如部分設備去膠速率可達 0.2-0.4μm/min，能大幅提高生產效率。
無損傷：采用化學性刻蝕的工作方式，相比物理轟擊方式，對襯底的損傷較低，尤其適用於對損傷敏感的材料和工藝。
均勻性好：通過合理設計腔體結構、氣體分布和樣品台運動方式等，可實現較好的去膠均勻性，如通過旋轉樣品台，進一步提高去膠的均勻性。
環保安全：無需使用有害化學溶劑，避免了化學清洗產生的廢液汙染，是一種綠色清潔的去膠技術。同時，微波波段無紫外排放，操作更安全。
適用性強：可以處理多種類型的光刻膠，包括正性及負性光刻膠、SU-8 負性光刻膠、聚酰亞胺光刻膠（PI）等，還可用於有機物去除、基片表麵等離子改性等多種工藝。
應用領域：
半導體製造：在芯片製造過程中，用於光刻工藝後晶圓表麵光刻膠的去除，為後續的刻蝕、離子注入等工藝做好準備，確保工藝的準確性和芯片的性能。
MEMS 製造：例如 MEMS 壓力傳感器加工工藝中，可對光刻膠進行批量處理，去除光刻膠以形成特定的微結構。
平板顯示生產：用於平板顯示生產中的等離子體預處理，如在玻璃基板上進行光刻膠去除和表麵改性，提高後續薄膜沉積、封裝等工藝的質量。
太陽能電池生產：可用於太陽能電池生產中的邊緣絕緣和製絨工藝，去除光刻膠並對矽片表麵進行處理，以提高電池的轉換效率和性能。
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