等離子處理是怎樣實現光刻去膠的？
文章導讀：等離子處理是一種關鍵的工藝，用於在半導體製造過程中去除光刻膠。在半導體工業中，光刻膠用於在芯片製造過程中定義各種圖案和結構。然而，一旦圖案完成後，這一層光刻膠需要被徹底去除，以便進行後續的工藝步驟。等離子處理是一種高效而精密的方法，用於去除殘留在芯片表麵的光刻膠。
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等離子處理是一種幹法去膠工藝，通過使用等離子體來去除光刻膠。等離子是在高能電場或磁場中被激發而產生的帶電粒子和電子的狀態，它們能夠高效地與光刻膠分子發生反應，從而使其分解並從表麵蒸發。
在等離子處理的過程中，首先將芯片放入真空室中，通入氧氣。然後，通過放電方式激發氧氣分子，產生含有大量活性氧離子和氧原子的等離子體。這些活性氧離子和原子具有高能量，能夠穿透光刻膠層，並與其分子中的碳、氫等元素發生化學反應。
在反應過程中，光刻膠分子逐漸被氧離子擊穿並分解為無害的氣體，如CO₂和H₂O。隨著時間的推移，光刻膠層逐漸被去除，留下芯片表麵清潔的圖案。整個等離子處理過程受控精密，可根據需要調整氣體種類、壓強、放電功率等參數，以實現對膠層的完全去除。
等離子處理作為一種高效、精密的光刻膠去除方法，在現代半導體製造中扮演著不可替代的角色。通過不斷優化工藝參數和設備技術，等離子處理技術不斷演進，為芯片製造提供了更加可靠和高效的解決方案。
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